Mijlpalen op nanometerniveau

Het Nederlandse lithografiebedrijf voor halfgeleiders ASML zegt lijntjes met een tussenafstand van 37 nm tot zelfs 32 nm te hebben kunnen produceren. De grens lag tot nu toe op 40 nm.

ASML kan met zijn nieuwste Twinscan XT:1900i-immersiescanner lijntjes printen die 37 nanometer uit elkaar liggen. Het Nederlandse bedrijf maakte dat ongeveer een maand geleden bekend op de technologieconferentie SPIE in het Amerikaanse San José. Tot dusver lag de grens voor immersielithografie op 40 nanometer (ook met de 1900i). In de tweede helft van 2007 gaat de scanner naar een tiental klanten.In een persbericht wijst Martin van den Brink, ASML’s directeur marketing en technologie, op een tweede doorbraak. Het bedrijf is er voor het eerst in geslaagd om met EUV-lithografie lijntjes van 32 nm te printen. De enige EUV-machines staan momenteel in Leuven bij Imec en bij Albany Nanotech in Albany, New York. ASML zegt dat EUV-systemen de meest kosteffectieve oplossing zijn. Het bedrijf kondigt bestellingen aan voor drie EUV-preproductiesystemen. Die zouden tegen 2009 klaar moeten zijn.Met de 37 nm-aankondiging op SPIE onderstreepte ASML dat het niet alleen voorloopt, maar zich in de technologierace volledig heeft losgereden van de concurrentie uit het Verre Oosten, zo klinkt de analyse van het Nederlandse vakblad Bits & Chips. “Veelzeggend is Nikons recente aankondiging dat het samen met CEA-Leti technologie gaat ontwikkelen voor 32 nm double patterning en double exposure. Een Japans lithografiebedrijf dat op dit moment nog een Frans onderzoekscentrum inschakelt dat qua IC-procestechnologie niet bepaald vooroploopt? Dan moet het water echt aan de lippen staan. (Double patterning werd vorig jaar al in de ITRS-roadmap opgenomen.)” Vandaag meldde ASML overigens dat het een Center of Excellence in Taiwan opent. Kwestie van de concurrentie nog meer de oren te wassen…