De v-nand of vertical nand-technologie van Samsung deed een jaar geleden zijn intrede en steunt op een verticale 3D-structuur in plaats van op een horizontale 2D-structuur. Het bedrijf doet trouwens hetzelfde in de bouw: in plaats van kleine particuliere woningen te bouwen, kiest de Koreaanse firma voor bouwen in de hoogte. Dit nieuwe concept is duidelijk opgebouwd rond 3 belangrijke vernieuwingen: een nieuw materiaal, namelijk een ctf-isolatie (charge trap flash) in plaats van een geleider; een aangepaste structuur waarbij de drager is vervangen door een channel en een control gate; en een hoger integratieniveau (tot 24 lagen). De belangrijkste voor...

De v-nand of vertical nand-technologie van Samsung deed een jaar geleden zijn intrede en steunt op een verticale 3D-structuur in plaats van op een horizontale 2D-structuur. Het bedrijf doet trouwens hetzelfde in de bouw: in plaats van kleine particuliere woningen te bouwen, kiest de Koreaanse firma voor bouwen in de hoogte. Dit nieuwe concept is duidelijk opgebouwd rond 3 belangrijke vernieuwingen: een nieuw materiaal, namelijk een ctf-isolatie (charge trap flash) in plaats van een geleider; een aangepaste structuur waarbij de drager is vervangen door een channel en een control gate; en een hoger integratieniveau (tot 24 lagen). De belangrijkste voordelen hiervan zijn volgens Samsung de afwezigheid van interferentie van cel naar cel, een kleine footprint, een aanzienlijke integratie dankzij het gebruik van light source als fotolithografisch proces, een grotere capaciteit (128 GB in 2013 en 256 GB gepland voor 2015), een verhoogde snelheid dankzij aangepaste programmeeralgoritmen, een uitstekende betrouwbaarheid en een betere energie-efficiëntie. "We zijn de enigen die dit soort chip kunnen produceren want er komen uiterst complexe processen bij kijken", aldus Jim Elliott, vicepresident memory marketing. Zo kunnen we dankzij onze channel hole technology maar liefst 2,5 miljard gaten in een chip van een nagel groot maken." En de technologie staat niet stil want de tweede generatie die dit jaar werd onthuld telt al 43 miljard cellen in een flash van 128 GB. Samsung is al ongeveer tien jaar aanwezig op de ssd-markt, maar het was wachten tot eind 2010 voordat er sprake was van een eerste gamma onder zijn eigen merknaam. Het bedrijf verkocht naar eigen zeggen al meer dan 12 miljoen stuks. En nu voegt Samsung dus 3 nieuwe producten toe aan zijn assortiment. De 850 Pro wordt omschreven als "het eerste product voor het grote publiek dat 3D v-nand bevat" en is bedoeld voor pc's en high-end workstations. Hij biedt prestaties tot 550 MB/s voor sequential read en tot 520 MB/s voor write, terwijl de leesprestaties tot 100.000 iops (input/output operations per second) kunnen oplopen en de schrijfprestaties tot 90.000 iops, dankzij het gebruik van sata 3 (6 Gb/s). Als capaciteit wordt 128 GB, 256 GB, 512 GB en 1 TB aangeboden, en de prijzen schommelen tussen 129,99 en 699,99 dollar. Daarnaast onthulde Samsung 2 nieuwe chips voor het datacenter. Ten eerste de 845 DC EVO met mlc 3 bits-technologie die werd geoptimaliseerd voor leesoperaties en die voornamelijk bestemd is voor webservers en content delivery. Met een capaciteit van 240, 480 en 960 GB. Ten tweede is er de 845 DC PRO in 3D v-nand-technologie met 24 lagen, die gebruikt kan worden voor write intensive-operaties, waaronder applicatieservers en databases. De capaciteit hiervoor bedraagt 400 en 800 GB. Samsung biedt 5 jaar garantie met endurances van 150 TB tot 600 TB voor de 845 DC EVO, en 5 jaar garantie met endurances van 7.300 tot 14.600 TB voor de 845 DC PRO. De 2 producten zijn nu al verkrijgbaar. Daarnaast zegt Samsung dat het volgend jaar een chip van 2 TB op de markt brengt en dat een versie van 4 TB gepland staat voor 2015. "We zullen proberen elk jaar met een nieuwe generatie van v-nand te komen", aldus Dohyoung Jeong, brand product marketing & sales, memory division.Marc Husquinet