Toshiba heeft een Flash-chip gebouwd die uit meerdere lagen bestaat, zodat een grotere opslagcapaciteit kan worden geconcentreerd op een kleiner oppervlak.
De chip bevat 16 afzonderlijke plakjes silicium, die via een nieuwe techniek met elkaar zijn verbonden. Toshiba spreekt over TSV, ofwel ‘Through Silicon Via’. Met die methode worden de chips onderling verbonden door geleiders die dwars door de chip heen gaan. Het onderdeel zal voor het eerst te zien zijn op de Flash Memory Summit 2015, die van 11 tot 13 augustus plaatsvindt in Santa Clara.
Toshiba bouwt voort op een techniek die al dateert uit het mainframetijdperk. IBM plakte vroeger ook al verschillende lagen op elkaar en voorzag die van gemetalliseerde doorverbindingen.
Het verschil is de schaalgrootte. Waar IBM printplaatjes op elkaar monteerde, doet Toshiba dat nu met plakjes silicium, met werkende chips dus. Dit huzarenkunstje is al eens eerder vertoond, maar toen werden er slechts 2 chips aan elkaar geplakt. Toshiba is de eerste die een sandwich van 16 chips heeft weten te bakken.
De via’s (Latijn voor ‘wegen’) in het ontwerp van Toshiba worden al tijdens de productie van de chips aangebracht. Het zijn zeer dunne metalen draadjes die verticaal door het substraat heen gaan.
Later, bij de assamblage van de afzonderlijke chips tot een ‘sandwich’, worden de via’s met elkaar verbonden. Zo ontstaan geleiders die door de hele stapel chips heen lopen en waarover signalen door de hele chip worden getransporteerd. Volgens Toshiba levert dit flink hogere datasnelheden op.
3D NAND
Vorige week stelden ook chipfabrikanten Intel en Micron met hun ‘3D XPoint’ een nieuw soort Flash-geheugen voor. Dat zou tot 1.000 maal sneller zou zijn dan de bestaande geheugentechnologie.
Niet dat Intel en Micron de enigen zijn die met 3D NAND-technologie experimenteren. Ook SanDisk and (alweer) Toshiba kondigden eerder op de week nog een 256Gbit 3D NAND-chip aan met een capaciteit die twee keer hoger ligt dan wat de concurrentie vandaag al biedt.
