IBM en Samsung beloven chipdoorbraak met verticale transistors

Met een nieuw chipdesign claimen Samsung en IBM dat hun chips in de toekomst een stuk performanter en stroomzuiniger zullen zijn.

Chips bestaan uit miljarden transistors. De prestaties van zo’n chip hangt meestal af van hoeveel transistors er op één chip passen en de afgelopen decennia werd dat vooral gedaan door die transistors kleiner te maken.

IBM en Samsung komen nu met een nieuw design waarbij een transistor verticaal op een chip staat. Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) design belooft daarbij twee keer betere prestaties en 85 procent minder stroom. Het is daarmee een opvolger voor finFET, de huidige manier om transistors op een chip te plaatsen.

Dat betekent volgens beide bedrijven onder meer dat een smartphone in plaats van dagen een week zou kunnen meegaan, of dat IoT-hardware veel krachtiger wordt, of langer kan functioneren op dezelfde batterij.

Stapelen

Ondanks massale tekorten blijven chipontwikkelaars wel volop werken aan manieren om de prestaties te verhogen. Zo kijkt Intel bijvoorbeeld sterk naar het stapelen van lagen transistors om er meer op één chip te krijgen.

Nog niet commercieel

Vandaag heeft IBM al testchips klaar en kan het project verder worden geschaald. Wel moeten we daaraan toevoegen dat er nog heel wat stappen tussen zitten voor de technologie tot een commercieel massaproduct kan leiden. Beloftes over batterijprestaties zijn wel altijd met enige nuance te interpreteren. Vaak evolueren applicaties of bijhorende hardware ook met de tijd, waardoor de prestatie- of energiewinst op een chip deels wordt opgeslorpt door meer mogelijkheden.