Intel-doorbraak met 22nm 3D-transistors
Chipreus Intel start met de productie van 3D-transistors in zijn nieuwe 22nm technologie. Een hogere transistordensiteit en lager stroomverbruik zijn hiervan de voordelen.
Chipreus Intel start met de productie van 3D-transistors in zijn nieuwe 22nm technologie. Een hogere transistordensiteit en lager stroomverbruik zijn hiervan de voordelen.
Bij monde van president en ceo Paul Otellini stelt Intel dat de chipproducent “eens te meer de transistor heeft heruitgevonden” en dat lijkt wel het geval. Tot nu toe waren de ‘poorten’ in transistors vlak uitgevoerd, zeg maar horizontaal. De Tri-Gate transistor van Intel heeft een 3D, zeg maar een verticale structuur.
Dat is het resultaat van onderzoek in het voorbije decennium. Zo stelde Intel zijn eerste model van de Tri-Gate al in 2002 voor, terwijl ook instellingen als Imec in Leuven hebben bijgedragen tot de haalbaarheid van de productie ervan. Vandaag heeft Intel deze Tri-Gate transistors klaar voor grote volume productie en de nieuwe ‘Ivy Bridge’ processor in 22nm zal de eerste massaproductie-processor zijn die er gebruik van maakt. De productie moet zoals gepland in de tweede helft van dit jaar van start gaan.
Het nieuwe type transistor laat niet alleen toe meer transistors op een zelfde oppervlak te produceren, met een grotere transistordensiteit tot gevolg (nog versterkt door het nieuwe 22nm procédé). Het biedt tevens de mogelijkheid de transistor met minder stroom te laten schakelen (met een grotere performantie), naast performantiewinst bij hogere stroomsterkten. De technologie zal niet alleen in de ‘Core’ familie van processoren voor servers, desktops en notebooks worden aangewend, maar ook in de Atom processoren voor mobiele toestellen.
Een presentatie op de site van Intel biedt meer info over de Tri-Gate transistors in de nieuwe 22nm processor.
Fout opgemerkt of meer nieuws? Meld het hier