Chipfabrikanten Intel en Micron hebben met ‘3D XPoint’ een nieuw soort computergeheugen ontwikkeld dat de snelheid van werkgeheugen (RAM) combineert met de opslagcapaciteit van flash (NAND), en dat tot 1.000 maal sneller zou zijn dan de bestaande geheugentechnologie.
Een computer gebruikt twee soorten geheugen. Het interne RAM-geheugen zorgt voor een snelle verwerking van gegevens, maar bewaart ze niet als het toestel wordt uitgeschakeld. Het permanente geheugen van een computer bewaart gegevens ook wanneer het toestel wordt uitgeschakeld, maar was tot nu toe relatief traag (NAND). Dit type geheugen wordt bijvoorbeeld gebruikt voor Solid State Disks (SSD’s), USB-sticks, geheugenkaarten, mobiele telefoons en tablets.
Heel wat bedrijven proberen al jaren de om zeer snel toegankelijk geheugen te ontwikkelen dat in grote hoeveelheden geproduceerd kan worden, en dat bovendien geen stroom nodig heeft om de data vast te houden.
Het nieuwe type geheugen dat Intel en Micron nu tonen, beantwoordt alvast aan die vereisten en verenigt de beste eigenschappen van NAND en RAM met elkaar. ‘3D XPoint’, zoals het beestje heet, zou tot 1.000 keer sneller dan het huidige permanente geheugen. De levensduur zou ook 1.000 maal hoger liggen en de geheugenchips kunnen volgens de makers tot 10 keer compacter worden ontworpen.
Intel en Micron hebben het 3D XPoint-geheugen inmiddels al in productie genomen. IMFT, de joint-venture tussen de twee technologiebedrijven, staat daarvoor in. Later op het jaar worden de eerste samples uitgedeeld aan de hardwarepartners, al zullen Intel en Micron ook zelf producten met de nieuwe geheugentechnologie ontwikkelen.
Het 3D XPoint-geheugen ziet er een beetje uit als een driedimensionaal ‘schaakbord’ (zie filmpje) met geheugencellen op de kruispunten. Hierdoor kan elke cel individueel worden aangesproken, en kunnen kleine stukjes data sneller gelezen en weggeschreven worden. Transistors zijn in een dergelijke architectuur niet meer nodig.
